パワーエレクトロニクスの分野では、パワーデバイスのスイッチングの⾼速化と、スイッチング動作周波数の向上が進んでおり、インダクタンス、キャパシタンス、抵抗といった寄⽣成分の影響が顕在化するが、回路設計時にプリント基板の寄⽣成分を考慮することは少なく、またこれに関する詳細な報告はほとんどない。

今回、プリント基板を含む⾼周波パワーエレクトロニクス回路のシミュレーションとして、SiC-MOSFETを⽤いた2電源HEECSチョッパ回路について電圧・電流波形を求め、スイッチング損失を算出し、実測と⽐較した。プリント基板の配線の寄⽣成分を含むシミュレーションを⾏うことで、損失量やサージ電圧・電流を⾼精度に求めることができる可能性を⽰した。

弊社　〇小林 英幸・田中 顕裕

横浜国立大学（敬称略）小原 秀嶺・河村 篤男